W9825G6DH-75
DDR DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54W9825G6DH-75
DDR DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54
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製造商零件號 # : W9825G6DH-75
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包裝/封裝: TSOP54
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製造商: Winbond Electronics
品質保證
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從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外,我們還保存這些檢查的詳細記錄,以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。
認證
我們已成功獲得各項認證標準,並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議,以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品,我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。
運輸與付款
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服務與包裝
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在包裝方面,我們的產品均精心包裝在防靜電袋中,以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法,例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。
例子
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W9825G6DH-75 數據表
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感興趣的部分
W9825G6DH-75 詳細說明
GENERAL DESCRIPTIONW982516AH is a high-speed synchronous dynamic random access memory (SDRAM), organized as 4M words x 4 banks x 16 bits. Using pipelined architecture and 0.175 μm process technology, W982516AH delivers a data bandwidth of up to 143M words per second (-7). To fully comply with the personal computer industrial standard, W982516AH is sorted into three speed grades: -7, -75, and -8H. The -7 is compliant to the 143 MHz/CL3 or PC133/CL2 specification, the -75 is compliant to the PC133/CL3 specification, the -8H is compliant to the PC100/CL2 specification. For handheld device application, we also provide a low power option, the grade of 75L, with Self Refresh Current under 1mA.FEATURES• 3.3V ±0.3V Power Supply• Up to 143 MHz Clock Frequency• 4,194,304 Words x 4 Banks x 16 Bits Organization• Self Refresh Mode: Standard and Low Power• CAS Latency: 2 and 3• Burst Length: 1, 2, 4, 8, and Full Page• Burst Read, Single Writes Mode• Byte Data Controlled by LDQM, UDQM• Power-down Mode• Auto-precharge and Controlled Precharge• 8K Refresh Cycles/64 mS• Interface: LVTTL• Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80
主要特徵
- 3.3V ±0.3V Power Supply
- Up to 143 MHz Clock Frequency
- 4,194,304 Words x 4 Banks x 16 Bits Organization
- Self Refresh Mode: Standard and Low Power
- CAS Latency: 2 and 3
- Burst Length: 1, 2, 4, 8, and Full Page
- Burst Read, Single Writes Mode
- Byte Data Controlled by LDQM, UDQM
- Power-down Mode
- Auto-precharge and Controlled Precharge
- 8K Refresh Cycles/64 mS
- Interface: LVTTL
- Packaged in TSOP II 54-pin, 400 mil - 0.80
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Part Package Code | TSOP2 | Pin Count ! | 54 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code ! | 8542.32.00.24 | Access Mode ! | FOUR BANK PAGE BURST |
Access Time-Max | 5.4 ns | Additional Feature ! | AUTO/SELF REFRESH |
Clock Frequency-Max (fCLK) | 133 MHz | I/O Type | COMMON |
Interleaved Burst Length | 1,2,4,8 | JESD-30 Code | R-PDSO-G54 |
Length | 22.22 mm | Memory Density | 268435456 bit |
Memory IC Type | DDR1 DRAM | Memory Width | 16 |
Number of Functions | 1 | Number of Ports ! | 1 |
Number of Terminals | 54 | Number of Words | 16777216 words |
Number of Words Code | 16000000 | Operating Mode ! | SYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 70 °C | Operating Temperature-Min | |
Organization | 16MX16 | Output Characteristics | 3-STATE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Code | TSOP2 |
Package Equivalence Code | TSOP54,.46,32 | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Power Supplies ! | 3.3 V | Qualification Status ! | Not Qualified |
Refresh Cycles | 8192 | Seated Height-Max | 1.2 mm |
Self Refresh | YES | Sequential Burst Length | 1,2,4,8,FP |
Standby Current-Max | 0.002 A | Supply Current-Max | 0.18 mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V | Supply Voltage-Min (Vsup) | 3 V |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V | Surface Mount ! | YES |
Technology | CMOS | Temperature Grade ! | COMMERCIAL |
Terminal Form ! | GULL WING | Terminal Pitch ! | 0.8 mm |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Width | 10.16 mm |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
價格詳情
列出的價格不含增值稅。
數量 | 單價 |
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