TH58TEG8DDJTA20

Name: TH58TEG8DDJTA20
Brand: Toshiba
Rating: 4.5 (10 reviews)
Author: Lisleapex

TH58TEG8DDJTA20 is a NAND flash memory chip used for data storage in various electronic devices.

7,051 有效庫存

TH58TEG8DDJTA20

有效庫存7,051

TH58TEG8DDJTA20 is a NAND flash memory chip used for data storage in various electronic devices.

製造商零件號 # : TH58TEG8DDJTA20
包裝/封裝: TSOP
製造商: Toshiba
產品分類 : Flash Memories

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

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Paypal

信用卡

西聯匯款

速匯金

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

TH58TEG8DDJTA20 數據表

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TH58TEG8DDJTA20 詳細說明

The TH58TEG8DDJTA20 is a 8-gigabit (1GB) DDR4 synchronous DRAM module designed for use in computing devices such as laptops, desktops, and servers. It operates at a speed of 2133 MHz and is organized into 16 memory banks with a 64-bit data bus width. The module features a JEDEC-standard 1.2V power supply and offers a maximum clock frequency of 1066 MHz. It also supports advanced features such as on-die termination (ODT), low voltage operation, and self-refresh mode to optimize power consumption and performance.The TH58TEG8DDJTA20 module is constructed using high-quality components and undergoes rigorous testing to ensure reliability and compatibility with a wide range of devices. It is designed to meet industry standards for stability, speed, and error correction, making it an ideal choice for applications requiring high-performance memory.