TC58DVM72A1FT00
IC 16M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROMTC58DVM72A1FT00
IC 16M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM
品質保證
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TC58DVM72A1FT00 數據表
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感興趣的部分
TC58DVM72A1FT00 詳細說明
The TC58DxM72x1xxxx is a 128-Mbit (138,412,032) bit NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2 PROM) organized as 528 bytes/264 words u32 pages u1024 blocks. The device uses dual power supplies (2.7 V to 3.6 V for VCCand 1.65 V to 1.95 V for VCCQ). The device has a 528-byte/264-words static register which allows program and read data to be transferred between the register and the memory cell array in 528-byte/256-words increments. The Erase operation is implemented in a single block unit (16 Kbytes 512 bytes: 528 bytes u32 pages/8k words + 256 words:264 words x 32 pages). FEATURES Organization TC58DxM72A1xxxx TC58DxM72F1xxxx Memory cell allay 528 x 32K x8 264 x 32k x 16 Register 528 x 8 264 x 16 Page size 528 bytes 264 words Block size (16K 512) bytes (8k + 256) words Modes Read, Reset, Auto Page Program Auto Block Erase, Status Read Mode control Serial input/output Command control Power supply TC58DVM72x1xxxx TC58DAM72x1xxxx Vcc: 2.7V to 3.6V 2.7V to 3.6V Vccq: 2.7V to 3.6V 1.65V to 1.95V Program/Erase Cycles 1E5 cycle (with ECC) Access time Cell array to register 25 Ps max Serial Read Cycle 50 ns min Operating current Read (50 ns cycle) 10 mA typ. Program (avg.) 10 mA typ. Erase (avg.) 10 mA typ. Standby 50 PA max. Package TSOP I 48-P-1220-0.50 (Weight:0.53g typ)
主要特徵
- Organization TC58DxM72A1xxxx TC58DxM72F1xxxx
- Memory cell allay 528 x 32K x8 264 x 32k x 16
- Register 528 x 8 264 x 16
- Page size 528 bytes 264 words
- Block size (16K 512) bytes (8k + 256) words
- Read, Reset, Auto Page Program
- Auto Block Erase, Status Read
- Mode control
- Serial input/output
- Command control
- Power supply TC58DVM72x1xxxx TC58DAM72x1xxxx
- Vcc: 2.7V to 3.6V 2.7V to 3.6V
- Vccq: 2.7V to 3.6V 1.65V to 1.95V
- Program/Erase Cycles 1E5 cycle (with ECC)
- Access time
- Cell array to register 25 Ps max
- Serial Read Cycle 50 ns min
- Operating current
- Read (50 ns cycle) 10 mA typ.
- Program (avg.) 10 mA typ.
- Erase (avg.) 10 mA typ.
- Standby 50 PA max.
- Package
- TSOP I 48-P-1220-0.50 (Weight:0.53g typ)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
Rohs Code | No | Part Life Cycle Code | Obsolete |
Part Package Code | TSOP1 | Pin Count ! | 48 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
HTS Code ! | 8542.32.00.51 | Access Time-Max | 45 ns |
Command User Interface | YES | Data Polling | NO |
JESD-30 Code | R-PDSO-G48 | JESD-609 Code | e0 |
Length | 18.4 mm | Memory Density | 134217728 bit |
Memory IC Type | EEPROM | Memory Width | 8 |
Number of Functions | 1 | Number of Sectors/Size | 1K |
Number of Terminals | 48 | Number of Words | 16777216 words |
Number of Words Code | 16000000 | Operating Mode ! | ASYNCHRONOUS |
Operating Temperature-Max | 70 °C | Operating Temperature-Min | |
Organization | 16MX8 | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Code | TSOP1 | Package Equivalence Code | TSSOP48,.8,20 |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
Page Size | 512 words | Parallel/Serial | SERIAL |
Power Supplies ! | 3.3 V | Programming Voltage ! | 3 V |
Qualification Status ! | Not Qualified | Ready/Busy | YES |
Seated Height-Max | 1.2 mm | Sector Size | 16K |
Standby Current-Max | 0.00005 A | Supply Current-Max | 0.03 mA |
Supply Voltage-Max (Vsup) | 3.6 V | Supply Voltage-Min (Vsup) | 2.7 V |
Supply Voltage-Nom (Vsup) | 3.3 V | Surface Mount ! | YES |
Technology | CMOS | Temperature Grade ! | COMMERCIAL |
Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) | Terminal Form ! | GULL WING |
Terminal Pitch ! | 0.5 mm | Terminal Position | DUAL |
Toggle Bit | NO | Type | NAND TYPE |
Width | 12 mm |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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價格詳情
列出的價格不含增值稅。
數量 | 單價 |
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