SI7998DP-T1-GE3

Name: SI7998DP-T1-GE3 FET, MOSFET Arrays
SKU: SI7998DP-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)
Author: Lisleapex

Dual N-Channel 30-V (Drain-to-Source) MOSFET

6,411 有效庫存

SI7998DP-T1-GE3

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Dual N-Channel 30-V (Drain-to-Source) MOSFET

製造商零件號 # : SI7998DP-T1-GE3
包裝/封裝: PowerPAK-SO-8
零件狀態 : Active
製造商: Vishay
產品分類 : FET, MOSFET Arrays

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。我們還支持其他運輸方式。如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

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最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。外包裝堅固耐用且閉合牢固。我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

例子

捲帶式

剪膠帶

管或託盤

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SI7998DP-T1-GE3 詳細說明

SI7998DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 開發的雙 N 通道功率 MOSFET，採用先進的 TrenchFET 技術。該器件專為高效能高頻功率開關和電源管理應用而設計，能夠處理高達 30 V 的漏源擊穿電壓，並具有低導通電阻特性。它採用熱增強型 PowerPAK SO-8 封裝，可提供可靠的散熱性能和節省空間的效率，因此常被廣泛應用於工業與消費性電子產品中的現代電源供應器、馬達控制驅動器以及高效能 DC-DC 轉換架構中。

主要特徵

電氣性能與效率

採用 TrenchFET 技術實現低漏源導通電阻，最大限度地減少高電流運作時的導通損耗。
展現低閘極電荷參數，實現更快切換轉態，並降低高頻電路中的動態功率損耗。

熱學與機械設計

採用熱效率高的 PowerPAK SO-8 封裝配置，旨在優化向印刷電路板的熱傳遞。
支援適用於高功率密度電子模組佈局的強固連續漏電流處理能力。

系統整合

在單一基板上配置為雙 N 通道電晶體陣列，減少高密度電路板上的整體零件數量。
支援寬工作接面溫度範圍，在嚴苛的環境條件下維持電氣穩定性。

應用

Fairchild Semiconductor 同等系列： 此系列的器件提供類似的雙 N 通道功率切換能力，適合用於一般電源管理設計。

Alpha & Omega Semiconductor 替代系列： 這些元件在精巧的表面黏著外型尺寸內提供相近的電壓和電流額定值，有助於實現佈局靈活性。

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Product Category !	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	2 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	25 A, 30 A
Rds On - Drain-Source Resistance	5.3 mOhms, 9.3 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.5 V	Qg - Gate Charge	17 nC, 32 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature !	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	22 W, 40 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Dual
Fall Time	10 ns, 13 ns	Forward Transconductance - Min	45 S, 71 S
Product Type !	MOSFET	Rise Time !	15 ns, 17 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	22 ns, 35 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns, 26 ns	Part # Aliases	SI7998DP-GE3
Unit Weight	0.017870 oz