PC28F128P33BF60A

Upgrade your device with the PC28F128P33BF60A EASYBGA-64(10x13) NOR flash memory for improved storage capacity and data retention
4,865 有效庫存

PC28F128P33BF60A

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Upgrade your device with the PC28F128P33BF60A EASYBGA-64(10x13) NOR flash memory for improved storage capacity and data retention

  • 製造商零件號 # : PC28F128P33BF60A

  • 包裝/封裝: BGA-64

  • 零件狀態 : Active

  • 製造商: Micron

  • 產品分類 : Memory

  • 系列 : PC28F128

品質保證

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我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

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服務與包裝

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例子

捲帶式

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剪膠帶

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管或託盤

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PC28F128P33BF60A 詳細說明

Engineered to operate at a voltage of 1.8 V and capable of supporting clock frequencies of up to 60 MHz, the PC28F128P33BF60A guarantees optimal performance across various applications. Its robust architecture prioritizes durability, longevity, and efficiency, making it a preferred choice for embedded systems, industrial machinery, and consumer electronics. Whether it's handling data-intensive tasks or serving as reliable storage, this memory chip exceeds expectations with its seamless functionality

PC28F128P33BF60A

主要特徵

  • High performance
  • — 85/88 ns initial access
  • — 40 MHz with zero wait states, 20 ns clock-to data output synchronous-burst read mode
  • — 25 ns asynchronous-page read mode
  • — 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode
  • — Buffered Enhanced Factory Programming (BEFP) at 5 µs/byte (Typ)
  • — 1.8 V buffered programming at 7 µs/byte (Typ)
  • Architecture
  • — Multi-Level Cell Technology: Highest Density at Lowest Cost
  • — Asymmetrically-blocked architecture
  • — Four 32-KByte parameter blocks: top or bottom configuration
  • — 128-KByte main blocks
  • Voltage and Power
  • —VCC(core) voltage: 1.7 V – 2.0 V
  • —VCCQ (I/O) voltage: 1.7 V – 3.6 V
  • — Standby current: 55 µA (Typ) for 256-Mbit
  • — 4-Word synchronous read current: 13 mA (Typ) at 40 MHz
  • Quality and Reliability
  • — Operating temperature: –40 °C to +85 °C
  • 1-Gbit in SCSP is –30 °C to +85 °C
  • — Minimum 100,000 erase cycles per block
  • — ETOX™ VIII process technology (130 nm)
  • Security
  • — One-Time Programmable Registers:
  • 64 unique factory device identifier bits
  • 64 user-programmable OTP bits
  • Additional 2048 user-programmable OTP bits
  • — Selectable OTP Space in Main Array:
  • 4x32KB parameter blocks + 3x128KB main blocks (top or bottom configuration)
  • — Absolute write protection: VPP= VSS
  • — Power-transition erase/program lockout
  • — Individual zero-latency block locking
  • — Individual block lock-down
  • Software
  • — 20 µs (Typ) program suspend
  • — 20 µs (Typ) erase suspend
  • —Intel® Flash Data Integrator optimized
  • — Basic Command Set and Extended Command Set compatible
  • — Common Flash Interface capable
  • Density and Packaging
  • — 64/128/256-Mbit densities in 56-Lead TSOP package
  • — 64/128/256/512-Mbit densities in 64-Ball Intel®Easy BGA package
  • — 64/128/256/512-Mbit and 1-Gbit densities in Intel®QUAD+ SCSP
  • — 16-bit wide data bus

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Manufacturer Micron Technology Inc. Product Category ! Memory ICs
Series - Packaging ! Tray
Package-Case Parallel Operating-Temperature 2.3 V ~ 3.6 V
Interface FLASH - NOR Voltage-Supply 60ns

數據表 PDF

數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。

初步規格 PC28F128P33BF60A PDF 下載

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    製造商: Micron 包裝/箱: BGA-64

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    製造商: Micron Technology 包裝/箱: BGA-64

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    製造商: Philips 包裝/箱: SO-8

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    128 megabit x16 configuration

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    製造商: Micron 包裝/箱: BGA-64

    3,847 有存貨

    貨物週期: 3~7 天

    最小訂購量為 1