K9F1G08U0D-SIB0
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製造商零件號 # : K9F1G08U0D-SIB0
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包裝/封裝: TSOP48
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產品分類 : Flash Memories
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
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K9F1G08U0D-SIB0 數據表
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感興趣的部分
K9F1G08U0D-SIB0 詳細說明
Offered in 128Mx8bit, the K9F1G08U0D is a 1G-bit NAND Flash Memory with spare 32M-bit. Its NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state application market. A program operation can be performed in typical 250μs on the (2K+64)Byte page and an erase operation can be performed in typical 2ms on a (128K+4K)Byte block. Data in the data register can be read out at 25ns cycle time per Byte. The I/O pins serve as the ports for address and data input/output as well as command input. The on-chip write controller automates all program and erase functions including pulse repetition, where required, and internal verification and margining of data. Even the write-intensive systems can take advantage of the K9F1G08U0D′s extended reliability by providing ECC(Error Correcting Code) with real time mapping-out algorithm. The K9F1G08U0D is an optimum solution for large nonvolatile storage applications such as solid state file storage and other portable app.lications requiring non-volatility. Features• Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0D) : 2.7V ~ 3.6V• Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit• Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte• Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 40μs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min.)• Fast Write Cycle Time - Page Program time : 250μs(Typ.) - Block Erase Time : 2ms(Typ.)• Command/Address/Data Multiplexed I/O Port• Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions• Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance & Data Retention : Refor to the gualification report -ECC regnirement : 1 bit / 528bytes• Command Driven Operation• Unique ID for Copyright Protection• Package : - K9F1G08U0D-SCB0/SIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch) - K9F1G08U0D-BCB0/BIB0 : Pb-FREE PACKAGE 63 FBGA (9 x 11 / 0.8 mm pitch)
主要特徵
- Voltage Supply - 3.3V Device(K9F1G08U0D) : 2.7V ~ 3.6V Organization - Memory Cell Array : (128M + 4M) x 8bit - Data Register : (2K + 64) x 8bit Automatic Program and Erase - Page Program : (2K + 64)Byte - Block Erase : (128K + 4K)Byte Page Read Operation - Page Size : (2K + 64)Byte - Random Read : 40μs(Max.) - Serial Access : 25ns(Min.)
- Fast Write Cycle Time - Page Program time : 250μs(Typ.) - Block Erase Time : 2ms(Typ.) Command/Address/Data Multiplexed I/O Port Hardware Data Protection - Program/Erase Lockout During Power Transitions Reliable CMOS Floating-Gate Technology -Endurance & Data Retention : Refor to the gualification report -ECC regnirement : 1 bit / 528bytes Command Driven Operation Unique ID for Copyright Protection Package : - K9F1G08U0D-SCB0/SIB0 : Pb-FREE PACKAGE 48 - Pin TSOP I (12 x 20 / 0.5 mm pitch) - K9F1G08U0D-BCB0/BIB0 : Pb-FREE PACKAGE 63 FBGA (9 x 11 / 0.8 mm pitch)
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
| Manufacturer | SAMSUNG | Product Category ! | IC Chips |
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價格詳情
列出的價格不含增值稅。
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