K4T51163QQ-BCE7

This advanced memory solution provides efficient data transfer and processing capabilities for complex computing tasks"
4,676 有效庫存

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有效庫存4,676

This advanced memory solution provides efficient data transfer and processing capabilities for complex computing tasks"

品質保證

品質保證

從我們的供應鍊網路採購的所有零件都經過嚴格的進貨檢驗流程。 這種細緻的檢查可確保客戶收到的零件是正品並符合要求的標準。 此外，我們還保存這些檢查的詳細記錄，以確保整個供應鏈的透明度和可追溯性。

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認證

我們已成功獲得各項認證標準，並建立了自己的專業檢測實驗室。 這確保了我們向客戶提供的每件產品都符合最高的品質標準。 我們遵守嚴格的測試協議，以保持我們產品的一致性和準確性。 為了確保我們的產品是原裝正品，我們還與信譽良好的第三方檢測機構合作進行嚴格的品質測試。 我們對品質的承諾延伸到滿足行業、法律、監管和 ISO 9001:2015 的要求。

運輸與付款

運輸與付款

關於運送

我們通常會在幾個工作日內通過可靠的運輸公司（例如 FedEx、SF、UPS 或 DHL）運送訂單。 我們還支持其他運輸方式。 如果您想詢問具體的運輸細節或費用，請隨時與我們聯繫。

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關於付款

我們接受多種支付方式，包括VISA、MasterCard、銀聯、西聯、PayPal等渠道。

如果您有特定的付款方式或想詢問費率和其他詳細信息，請隨時與我們聯繫。

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電匯

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Paypal

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信用卡

western

西聯匯款

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速匯金

服務與包裝

服務與包裝

About After Sales Service

All Parts Extended Quality Guarantee

自發貨之日起 90 天內發起申請。

與我們的工作人員確認退貨或換貨。

保持貨物收到時的原始狀態。

最後請注意，退貨或換貨的資格取決於對退貨商品實際狀況的評估。 在完成退貨或換貨流程之前，我們將評估收到的貨物。 如果您對退貨或換貨有任何疑問或需要進一步幫助，請隨時通過以下方式聯絡我們： [email protected]

關於包裝

在包裝方面，我們的產品均精心包裝在防靜電袋中，以提供ESD防靜電保護。 外包裝堅固耐用且閉合牢固。 我們支持各種包裝方法，例如捲帶式、切帶式、管式或託盤式。

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例子

捲帶式

捲帶式

剪膠帶

剪膠帶

管或託盤

管或託盤

K4T51163QQ-BCE7 數據表
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K4T51163QQ-BCE7 詳細說明

K4T51163QQ-BCE7 DescriptionThe 512Mb DDR2 SDRAM is organized as a 32Mbit x 4 I/Os x 4 banks, 16Mbit x 8 I/Os x 4banks or 8Mbit x 16 I/Os x 4 banks device. This synchronous device achieves high speed double data-rate transfer rates of up to 800Mb/sec/pin (DDR2-800) for general applications.The chip is designed to comply with the following key DDR2 SDRAM features such as posted CAS with additive latency, write latency = read latency -1, Off-Chip Driver(OCD) impedance adjustment and On Die Termination.K4T51163QQ-BCE7 Features• JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply• VDDQ = 1.8V ± 0.1V• 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin• 4 Banks• Posted CAS• Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6• Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5• Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1• Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential)• Programmable Sequential / Interleave Burst Mode• Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature)• Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment• On Die Termination• Special Function Support-PASR(Partial Array Self Refresh)-50ohm ODT-High Temperature Self-Refresh rate enable• Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C

K4T51163QQ-BCE7

主要特徵

  • JEDEC standard 1.8V ± 0.1V Power Supply VDDQ = 1.8V ± 0.1V 200 MHz fCK for 400Mb/sec/pin, 267MHz fCK for 533Mb/sec/pin, 333MHz fCK for 667Mb/sec/pin, 400MHz fCK for 800Mb/sec/pin 4 Banks Posted CAS Programmable CAS Latency: 3, 4, 5, 6 Programmable Additive Latency: 0, 1 , 2 , 3, 4 , 5 Write Latency(WL) = Read Latency(RL) -1 Burst Length: 4 , 8(Interleave/nibble sequential) Programmable Sequential / Interleave Burst Mode Bi-directional Differential Data-Strobe (Single-ended data strobe is an optional feature) Off-Chip Driver(OCD) Impedance Adjustment On Die Termination Special Function Support-PASR(Partial Array Self Refresh)-50ohm ODT-High Temperature Self-Refresh rate enable Average Refresh Period 7.8us at lower than TCASE 85°C, 3.9us at 85°C

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Density 512M Organization 32M x 16
Package 96-FBGA (11x13) Voltage - Supply 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature ! 0°C ~ 85°C Speed 400MHz
Interface Parallel Voltage - I/O 1.7V, 1.8V
Memory Type ! DDR2 SDRAM Package Height 1.2mm

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