K4J55323QI-BC14
The K4J55323QI-BC14 is a high-speed synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip with a capacity of 4 gigabitsK4J55323QI-BC14
The K4J55323QI-BC14 is a high-speed synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip with a capacity of 4 gigabits
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製造商零件號 # : K4J55323QI-BC14
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包裝/封裝: BGA-136
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產品分類 : Controllers
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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K4J55323QI-BC14 數據表
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感興趣的部分
K4J55323QI-BC14 詳細說明
K4J55323QI-BC14 is a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module manufactured by Samsung. It has a capacity of 512 megabytes (MB) and operates at a speed of 166 megahertz (MHz). The module is organized as 32M x 16 and has a 54-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package.This SDRAM module is designed for use in various computing devices such as laptops, desktops, and servers. It features a low power consumption design, making it suitable for battery-powered devices. The module conforms to JEDEC standards for SDRAM devices and is RoHS compliant.The K4J55323QI-BC14 provides fast and reliable data storage and retrieval for applications that require high-speed memory access. It is ideal for multitasking, gaming, and multimedia applications where performance and efficiency are crucial. The module is easy to install and compatible with a wide range of systems, making it a versatile choice for upgrading or expanding memory capacity
主要特徵
- 4Gb LPDDR4 DRAM chip
- High-speed data transfer rate
- Low power consumption
- BC14 package type
- JEDEC standard compliant
- Wide temperature range support
- Industrial-grade durability
應用
- Automotive control systems
- Industrial process control
- Medical imaging equipment
- Data storage systems
- Communication infrastructure
- Consumer electronics
- Robotics
- Security systems
規格
以下是所選零件的基本參數,涉及零件的特性及其所屬類別。
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Obsolete |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code ! | 8542.32.00.24 |
| Access Time-Max | 0.26 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 700 MHz |
| I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 4,8 |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B136 | Memory Density | 268435456 bit |
| Memory IC Type | GDDR3 DRAM | Memory Width | 32 |
| Moisture Sensitivity Level | 3 | Number of Terminals | 136 |
| Number of Words | 8388608 words | Number of Words Code | 8000000 |
| Operating Temperature-Max | 85 °C | Organization | 8MX32 |
| Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | FBGA | Package Equivalence Code | BGA136,12X17,32 |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies ! | 1.8 V |
| Qualification Status ! | Not Qualified | Refresh Cycles | 4096 |
| Sequential Burst Length | 4,8 | Standby Current-Max | 0.085 A |
| Supply Current-Max | 0.925 mA | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.8 V |
| Surface Mount ! | YES | Technology | CMOS |
| Temperature Grade ! | OTHER | Terminal Form ! | BALL |
| Terminal Pitch ! | 0.8 mm | Terminal Position | BOTTOM |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等,這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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價格詳情
列出的價格不含增值稅。
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