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IRFIZ34G
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, FULLPAK-3IRFIZ34G
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, FULLPAK-3
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製造商零件號 # : IRFIZ34G
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包裝/封裝: TO220F
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製造商: Vishay
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產品分類 : Single FETs, MOSFETs
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系列 : IRFIZ34
品質保證
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運輸與付款
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服務與包裝
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例子
捲帶式
剪膠帶
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IRFIZ34G 數據表
價格 (USD)
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IRFIZ34G 詳細說明
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主要特徵
- Durable in extreme temperatures
- High-speed switching capability
- Fault-tolerant design for increased reliability
- Long lifespan with low maintenance needs
規格
以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。
| Pbfree Code | No | Rohs Code | No |
| Part Life Cycle Code | Transferred | Part Package Code | TO-220AB |
| Pin Count ! | 3 | ECCN Code | EAR99 |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 300 mJ | Case Connection | ISOLATED |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
| Drain Current-Max (ID) | 20 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.05 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-220AB |
| JESD-30 Code | R-PSFM-T3 | JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode ! | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 80 A | Qualification Status ! | Not Qualified |
| Surface Mount ! | NO | Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form ! | THROUGH-HOLE | Terminal Position | SINGLE |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
數據表 PDF
數據表記錄了器件的特性、絕對最大額定值、應用等，這對於作為器件特定應用的整體指南大有裨益。
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價格詳情
列出的價格不含增值稅。
| 數量 | 單價 |
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有效庫存4,686