IRF5N5210

SMD-packaged P-type Silicon MOSFET capable of handling up to 100V and 31A of current
9,870 有效庫存

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SMD-packaged P-type Silicon MOSFET capable of handling up to 100V and 31A of current

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IRF5N5210 詳細說明

The IRF5N5210 is a N-Channel power MOSFET transistor designed for high power applications. It has a maximum drain current of 60A and a drain-source voltage rating of 100V. The transistor features a low on-state resistance of 10mΩ and is capable of switching speeds up to 10kHz.The IRF5N5210 is housed in a TO-220 package, making it suitable for a variety of applications including voltage regulation, motor control, and power management. It has a junction-to-case thermal resistance of 1.38°C/W, allowing for efficient heat dissipation and reliable operation under high load conditions.The transistor also features a gate threshold voltage of 2V and a gate charge of 167nC, enabling precise control of the switching characteristics. It has a rugged design with high avalanche energy capability, providing protection against voltage spikes and other transient events.

主要特徵

  • Enhanced power amplifier transistor
  • N-channel MOSFET
  • Voltage rating of 500V
  • Current rating of 14A
  • Low on-resistance
  • Designed for high-speed switching applications
  • Suitable for use in power supplies, inverters, and motor control systems

應用

  • Switch mode power supplies
  • Motor control
  • High power DC-DC converters
  • Class D audio amplifiers
  • Electronic ballast
  • DC brushless motor drives
  • Solar inverters
  • Welding equipment
  • UPS systems
  • Inductive heating applications

規格

以下是所選零件的基本參數，涉及零件的特性及其所屬類別。

Configuration Discrete ID max -31.0 A
Package SMD-1 Polarity P
VBRDSS min -100.0 V RDS (on) max 60.0 mΩ
Language SPICE Product Category ! High reliability power MOSFETs

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